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MT47H128M4CB-37E:B TR Image

Micron Technology Inc. MT47H128M4CB-37E:B TR

Número de pieza de MFG
MT47H128M4CB-37E:B TR
Cantidad disponible
12960 Piezas
Precio de referencia
USD 0
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Fecha de envío
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fabricante
Micron Technology Inc.
Breve descripción
- IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Memoria
Recurso de stock
Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Número de pieza del fabricante MT47H128M4CB-37E:B TR
Número de parte futuro FT-MT47H128M4CB-37E:B TR
SPQ / MOQ Contáctenos
Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie -
MT47H128M4CB-37E:B TR Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de memoria Volatile
Formato de memoria DRAM
Tecnología SDRAM - DDR2
Tamaño de la memoria 512Mb (128M x 4)
Frecuencia de reloj 267MHz
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página 15ns
Tiempo de acceso 500ps
interfaz de memoria Parallel
Suministro de voltaje 1.7V ~ 1.9V
Temperatura de funcionamiento 0°C ~ 85°C (TC)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caja 60-FBGA
Paquete del dispositivo del proveedor 60-FBGA
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
MT47H128M4CB-37E:B TR Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto MT47H128M4CB-37E:B TR-FT

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