casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT47H128M4CB-37E:B TR
Número de pieza del fabricante | MT47H128M4CB-37E:B TR |
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Número de parte futuro | FT-MT47H128M4CB-37E:B TR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT47H128M4CB-37E:B TR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - DDR2 |
Tamaño de la memoria | 512Mb (128M x 4) |
Frecuencia de reloj | 267MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 15ns |
Tiempo de acceso | 500ps |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.7V ~ 1.9V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 85°C (TC) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 60-FBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 60-FBGA |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT47H128M4CB-37E:B TR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT47H128M4CB-37E:B TR-FT |
MT46V128M4FN-75:D
Micron Technology Inc.
MT46V128M4FN-75:D TR
Micron Technology Inc.
MT46V128M4FN-75Z:D
Micron Technology Inc.
MT46V128M4FN-75Z:D TR
Micron Technology Inc.
MT46V16M16BG-5B:F TR
Micron Technology Inc.
MT46V16M16BG-6 IT:F TR
Micron Technology Inc.
MT46V16M16BG-6:F
Micron Technology Inc.
MT46V16M16BG-6:F TR
Micron Technology Inc.
MT46V16M16FG-5B:F TR
Micron Technology Inc.
MT46V16M16FG-6 L:F
Micron Technology Inc.
XC2S30-5VQ100C
Xilinx Inc.
XC6SLX75T-3FGG484C
Xilinx Inc.
A3P125-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP4CE55F23C9L
Intel
EP4CE15E22I8L
Intel
EP3SE110F1152C4LN
Intel
XC5VLX155T-3FFG1738C
Xilinx Inc.
LFE3-150EA-7FN1156CTW
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M50E-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M70E-7F900C
Lattice Semiconductor Corporation