casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT47H128M4B6-3:D TR
Número de pieza del fabricante | MT47H128M4B6-3:D TR |
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Número de parte futuro | FT-MT47H128M4B6-3:D TR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT47H128M4B6-3:D TR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - DDR2 |
Tamaño de la memoria | 512Mb (128M x 4) |
Frecuencia de reloj | 333MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 15ns |
Tiempo de acceso | 450ps |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.7V ~ 1.9V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 85°C (TC) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 60-FBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 60-FBGA |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT47H128M4B6-3:D TR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT47H128M4B6-3:D TR-FT |
MT46V128M4FN-6:D TR
Micron Technology Inc.
MT46V128M4FN-6:F TR
Micron Technology Inc.
MT46V128M4FN-75:D
Micron Technology Inc.
MT46V128M4FN-75:D TR
Micron Technology Inc.
MT46V128M4FN-75Z:D
Micron Technology Inc.
MT46V128M4FN-75Z:D TR
Micron Technology Inc.
MT46V16M16BG-5B:F TR
Micron Technology Inc.
MT46V16M16BG-6 IT:F TR
Micron Technology Inc.
MT46V16M16BG-6:F
Micron Technology Inc.
MT46V16M16BG-6:F TR
Micron Technology Inc.
XC2S15-5TQG144I
Xilinx Inc.
XCV100E-6FG256C
Xilinx Inc.
XC7K70T-3FBG676E
Xilinx Inc.
LFE2M70SE-7F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K10ATC100-1
Intel
EP3SL200F1517I4L
Intel
XC5VLX110-2FFG1760I
Xilinx Inc.
10AX115S3F45I2SG
Intel
EP20K200CB652C7ES
Intel
EPF8820AQC160-3
Intel