casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT49H64M9SJ-25E:B

| Número de pieza del fabricante | MT49H64M9SJ-25E:B |
|---|---|
| Número de parte futuro | FT-MT49H64M9SJ-25E:B |
| SPQ / MOQ | Contáctenos |
| Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | - |
| MT49H64M9SJ-25E:B Estado (ciclo de vida) | En stock |
| Estado de la pieza | Obsolete |
| Tipo de memoria | Volatile |
| Formato de memoria | DRAM |
| Tecnología | DRAM |
| Tamaño de la memoria | 576Mb (64M x 9) |
| Frecuencia de reloj | 400MHz |
| Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
| Tiempo de acceso | 15ns |
| interfaz de memoria | Parallel |
| Suministro de voltaje | 1.7V ~ 1.9V |
| Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 95°C (TC) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / Caja | 144-TFBGA |
| Paquete del dispositivo del proveedor | 144-FBGA (18.5x11) |
| País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| MT49H64M9SJ-25E:B Peso | Contáctenos |
| Número de pieza de repuesto | MT49H64M9SJ-25E:B-FT |

MT47H64M8CB-37V:B TR
Micron Technology Inc.

MT47H64M8CB-3:B
Micron Technology Inc.

MT47H64M8CB-3:B TR
Micron Technology Inc.

MT47H64M8CB-5E IT:B
Micron Technology Inc.

MT47H64M8CB-5E IT:B TR
Micron Technology Inc.

MT47H64M8CB-5E:B
Micron Technology Inc.

MT47H64M8CB-5E:B TR
Micron Technology Inc.

MT48LC16M8A2BB-75 IT:G
Micron Technology Inc.

MT48LC16M8A2BB-75:G
Micron Technology Inc.

MT48LC16M8A2BB-7E:G TR
Micron Technology Inc.

M1AFS600-2FG484
Microsemi Corporation

AGL060V5-VQG100I
Microsemi Corporation

AGLN060V5-VQG100I
Microsemi Corporation

5SGXEA7N2F40C3N
Intel

5CGXFC4F6M11C7N
Intel

5SGXEB6R3F43C3
Intel

EP4SGX360KF43I4
Intel

XC4VFX60-10FF672C
Xilinx Inc.

LCMXO1200E-4M132I
Lattice Semiconductor Corporation

EP20K400EBC652-2X
Intel