casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT49H32M18BM-25E:B TR
Número de pieza del fabricante | MT49H32M18BM-25E:B TR |
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Número de parte futuro | FT-MT49H32M18BM-25E:B TR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT49H32M18BM-25E:B TR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | DRAM |
Tamaño de la memoria | 576Mb (32M x 18) |
Frecuencia de reloj | 400MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | 15ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.7V ~ 1.9V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 95°C (TC) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 144-TFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 144-µBGA (18.5x11) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT49H32M18BM-25E:B TR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT49H32M18BM-25E:B TR-FT |
MT47H64M16NF-25E:M
Micron Technology Inc.
MT47H64M16U88BWC1
Micron Technology Inc.
MT47H64M8CF-25E AIT:G TR
Micron Technology Inc.
MT47H64M8CF-25E L:G TR
Micron Technology Inc.
MT47H64M8SH-187E:H TR
Micron Technology Inc.
MT47H64M8SH-25E IT:H
Micron Technology Inc.
MT47H64M8SH-25E:H
Micron Technology Inc.
MT47R256M8EB-25E:C
Micron Technology Inc.
MT47R512M4EB-25E:C
Micron Technology Inc.
MT48H16M16LFBF-6 IT:H
Micron Technology Inc.
A3P400-1FGG256
Microsemi Corporation
M2GL050S-1VFG400I
Microsemi Corporation
EPF10K10ATC100-3
Intel
EP4CE15F23C7
Intel
A1010B-1PL44I
Microsemi Corporation
XC2VP7-6FFG672I
Xilinx Inc.
APA600-FGG676I
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-5FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGTFD7D5F31I7N
Intel
10AX115R1F40E1SG
Intel