casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT47H64M8SH-25E IT:H
Número de pieza del fabricante | MT47H64M8SH-25E IT:H |
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Número de parte futuro | FT-MT47H64M8SH-25E IT:H |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT47H64M8SH-25E IT:H Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - DDR2 |
Tamaño de la memoria | 512Mb (64M x 8) |
Frecuencia de reloj | 400MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 15ns |
Tiempo de acceso | 400ps |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.7V ~ 1.9V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 95°C (TC) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 60-TFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 60-FBGA (8x10) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT47H64M8SH-25E IT:H Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT47H64M8SH-25E IT:H-FT |
MT46H64M32LFCX-5 IT:B
Micron Technology Inc.
MT46H64M32LFCX-5 IT:B TR
Micron Technology Inc.
MT46H64M32LFCX-5 WT:B
Micron Technology Inc.
MT46H64M32LFCX-5 WT:B TR
Micron Technology Inc.
MT46H64M32LFCX-6 AT:B
Micron Technology Inc.
MT46H64M32LFCX-6 AT:B TR
Micron Technology Inc.
MT46H64M32LFCX-6 IT:B
Micron Technology Inc.
MT46H64M32LFCX-6 IT:B TR
Micron Technology Inc.
MT46H64M32LFCX-6 WT:B
Micron Technology Inc.
MT46H64M32LFCX-6 WT:B TR
Micron Technology Inc.
XC2S30-5VQ100C
Xilinx Inc.
XC6SLX75T-3FGG484C
Xilinx Inc.
A3P125-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP4CE55F23C9L
Intel
EP4CE15E22I8L
Intel
EP3SE110F1152C4LN
Intel
XC5VLX155T-3FFG1738C
Xilinx Inc.
LFE3-150EA-7FN1156CTW
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M50E-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M70E-7F900C
Lattice Semiconductor Corporation