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Micron Technology Inc. MT47R512M4EB-25E:C

Name: MT47R512M4EB-25E:C
Brand: Micron Technology Inc.
SKU: MT47R512M4EB-25E:C
Availability: InStock
Rating: 4.9 (112 reviews)

Número de pieza de MFG: MT47R512M4EB-25E:C

Cantidad disponible: 61890 Piezas

Precio de referencia: USD 0

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Fecha de envío: Podemos enviar hoy

fabricante: Micron Technology Inc.

Breve descripción: - IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Memoria

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: MT47R512M4EB-25E:C.pdf

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MT47R512M4EB-25E:C Presupuesto

Número de pieza del fabricante	MT47R512M4EB-25E:C
Número de parte futuro	FT-MT47R512M4EB-25E:C
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
MT47R512M4EB-25E:C Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Discontinued at Future Semiconductor
Tipo de memoria	Volatile
Formato de memoria	DRAM
Tecnología	SDRAM - DDR2
Tamaño de la memoria	2Gb (512M x 4)
Frecuencia de reloj	400MHz
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página	15ns
Tiempo de acceso	400ps
interfaz de memoria	Parallel
Suministro de voltaje	1.55V ~ 1.9V
Temperatura de funcionamiento	0°C ~ 85°C (TC)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / Caja	60-TFBGA
Paquete del dispositivo del proveedor	60-FBGA (9x11.5)
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
MT47R512M4EB-25E:C Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	MT47R512M4EB-25E:C-FT

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