casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT49H16M18BM-25:B TR
Número de pieza del fabricante | MT49H16M18BM-25:B TR |
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Número de parte futuro | FT-MT49H16M18BM-25:B TR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT49H16M18BM-25:B TR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | DRAM |
Tamaño de la memoria | 288Mb (16M x 18) |
Frecuencia de reloj | 400MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | 20ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.7V ~ 1.9V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 95°C (TC) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 144-TFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 144-µBGA (18.5x11) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT49H16M18BM-25:B TR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT49H16M18BM-25:B TR-FT |
MT47H256M8EB-187E:C
Micron Technology Inc.
MT47H256M8EB-187E:C TR
Micron Technology Inc.
MT47H256M8EB-25E XIT:C
Micron Technology Inc.
MT47H256M8EB-25E XIT:C TR
Micron Technology Inc.
MT47H256M8EB-3:C
Micron Technology Inc.
MT47H256M8EB-3:C TR
Micron Technology Inc.
MT47H256M8THN-25E IT:H
Micron Technology Inc.
MT47H256M8THN-25E:H
Micron Technology Inc.
MT47H256M8THN-25E:H TR
Micron Technology Inc.
MT47H256M8THN-25E:M
Micron Technology Inc.
M2GL010T-FG484
Microsemi Corporation
EP1SGX25DF672C5N
Intel
EPF10K50SFC256-1X
Intel
EP1M350F780I6
Intel
XC2V1500-5BGG575C
Xilinx Inc.
XC5VLX220T-1FF1738C
Xilinx Inc.
LFE2-20E-6F256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-20E-6F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5U-45F-6BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K130EBC356-2
Intel