casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT47H256M8EB-3:C TR
Número de pieza del fabricante | MT47H256M8EB-3:C TR |
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Número de parte futuro | FT-MT47H256M8EB-3:C TR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT47H256M8EB-3:C TR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - DDR2 |
Tamaño de la memoria | 2Gb (256M x 8) |
Frecuencia de reloj | 333MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 15ns |
Tiempo de acceso | 450ps |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.7V ~ 1.9V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 85°C (TC) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 60-TFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 60-FBGA (9x11.5) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT47H256M8EB-3:C TR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT47H256M8EB-3:C TR-FT |
MT46H256M32L4LE-48 WT:C
Micron Technology Inc.
MT46H256M32L4LE-48 WT:C TR
Micron Technology Inc.
MT46H256M32L4SA-48 WT:C
Micron Technology Inc.
MT46H256M32L4SA-48 WT:C TR
Micron Technology Inc.
MT46H256M32R4JV-5 IT:B
Micron Technology Inc.
MT46H256M32R4JV-5 IT:B TR
Micron Technology Inc.
MT46H256M32R4JV-5 WT:B
Micron Technology Inc.
MT46H256M32R4JV-5 WT:B TR
Micron Technology Inc.
MT46H32M32LFB5-48 IT:B
Micron Technology Inc.
MT46H32M32LFB5-48 IT:B TR
Micron Technology Inc.
M1AFS600-2FG484
Microsemi Corporation
AGL060V5-VQG100I
Microsemi Corporation
AGLN060V5-VQG100I
Microsemi Corporation
5SGXEA7N2F40C3N
Intel
5CGXFC4F6M11C7N
Intel
5SGXEB6R3F43C3
Intel
EP4SGX360KF43I4
Intel
XC4VFX60-10FF672C
Xilinx Inc.
LCMXO1200E-4M132I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K400EBC652-2X
Intel