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Micron Technology Inc. MT47H256M8EB-3:C
- Número de pieza de MFG
- MT47H256M8EB-3:C
- Cantidad disponible
- 52820 Piezas
- Precio de referencia
- USD 0
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- Fecha de envío
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- fabricante
- Micron Technology Inc.
- Breve descripción
- - IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA
- Estado sin plomo / estado RoHS
- Cumple con RoHS (sin plomo)
- Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
- 1 (ilimitado)
- Código de fecha (D / C)
- Nuevo
- categoria de producto
- Memoria
- Recurso de stock
- Distribuidor Franquiciado
- Garantía
- Garantía de calidad de 360 días.
- ficha de datos
- MT47H256M8EB-3:C.pdf
MT47H256M8EB-3:C Presupuesto
| Número de pieza del fabricante | MT47H256M8EB-3:C |
|---|---|
| Número de parte futuro | FT-MT47H256M8EB-3:C |
| SPQ / MOQ | Contáctenos |
| Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | - |
| MT47H256M8EB-3:C Estado (ciclo de vida) | En stock |
| Estado de la pieza | Obsolete |
| Tipo de memoria | Volatile |
| Formato de memoria | DRAM |
| Tecnología | SDRAM - DDR2 |
| Tamaño de la memoria | 2Gb (256M x 8) |
| Frecuencia de reloj | 333MHz |
| Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 15ns |
| Tiempo de acceso | 450ps |
| interfaz de memoria | Parallel |
| Suministro de voltaje | 1.7V ~ 1.9V |
| Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 85°C (TC) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / Caja | 60-TFBGA |
| Paquete del dispositivo del proveedor | 60-FBGA (9x11.5) |
| País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| MT47H256M8EB-3:C Peso | Contáctenos |
| Número de pieza de repuesto | MT47H256M8EB-3:C-FT |
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