casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT47H32M16NF-187E:H
Número de pieza del fabricante | MT47H32M16NF-187E:H |
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Número de parte futuro | FT-MT47H32M16NF-187E:H |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT47H32M16NF-187E:H Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - DDR2 |
Tamaño de la memoria | 512Mb (32M x 16) |
Frecuencia de reloj | 533MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 15ns |
Tiempo de acceso | 350ps |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.7V ~ 1.9V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 85°C (TC) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 84-TFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 84-FBGA (8x12.5) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT47H32M16NF-187E:H Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT47H32M16NF-187E:H-FT |
M29W320DT70ZE6F TR
Micron Technology Inc.
M29W320EB70ZE6E
Micron Technology Inc.
M29W320EB70ZE6F TR
Micron Technology Inc.
M29W320ET70ZE6E
Micron Technology Inc.
M29W320ET70ZE6F TR
Micron Technology Inc.
M29W400BT55ZA1
Micron Technology Inc.
M29W400DB45ZE6E
Micron Technology Inc.
M29W400DB55ZE6E
Micron Technology Inc.
M29W400DB70ZE6E
Micron Technology Inc.
M29W400DT55ZE6E
Micron Technology Inc.
XCS10XL-4VQG100I
Xilinx Inc.
XC6SLX25T-3FGG484I
Xilinx Inc.
A3P250L-VQG100I
Microsemi Corporation
5CEBA4F17C6N
Intel
EP4CE22E22C8L
Intel
LFE2M100E-7F900C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-3B256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-4MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA7F23I7N
Intel
5AGTFC7H3F35I3G
Intel