casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / M29W400DB55ZE6E
Número de pieza del fabricante | M29W400DB55ZE6E |
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Número de parte futuro | FT-M29W400DB55ZE6E |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
M29W400DB55ZE6E Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NOR |
Tamaño de la memoria | 4Mb (512K x 8, 256K x 16) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 55ns |
Tiempo de acceso | 55ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 48-TFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 48-TFBGA (6x9) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M29W400DB55ZE6E Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | M29W400DB55ZE6E-FT |
M58LW064D110N6
STMicroelectronics
MT28F128J3RG-12 ET TR
Micron Technology Inc.
MT28F128J3RG-12 MET
Micron Technology Inc.
MT28F128J3RG-12 MET TR
Micron Technology Inc.
MT28F128J3RP-12 ET
Micron Technology Inc.
MT28F128J3RP-12 ET TR
Micron Technology Inc.
MT28F128J3RP-12 MET
Micron Technology Inc.
MT28F128J3RP-12 MET TR
Micron Technology Inc.
MT28F320J3RG-11 ET TR
Micron Technology Inc.
MT28F320J3RG-11 GMET
Micron Technology Inc.
EPF10K10TC144-4
Intel
A3P125-2PQG208
Microsemi Corporation
A54SX16A-PQG208I
Microsemi Corporation
LFE2M70E-6F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXMA5K2F35C3N
Intel
XC4028XL-1BG256C
Xilinx Inc.
A42MX24-3PL84
Microsemi Corporation
LFE2M20E-5F484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K2F40I2LG
Intel
EP3C80F780C8N
Intel