casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT46V32M8P-5B:M
Número de pieza del fabricante | MT46V32M8P-5B:M |
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Número de parte futuro | FT-MT46V32M8P-5B:M |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT46V32M8P-5B:M Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - DDR |
Tamaño de la memoria | 256Mb (32M x 8) |
Frecuencia de reloj | 200MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 15ns |
Tiempo de acceso | 700ps |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.5V ~ 2.7V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 66-TSOP |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT46V32M8P-5B:M Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT46V32M8P-5B:M-FT |
MT29PZZZ4D4BKEPK-18 W.94H TR
Micron Technology Inc.
MT29RZ4C4DZZMGGM-18W.80C
Micron Technology Inc.
MT29RZ4C4DZZMGGM-18W.80C TR
Micron Technology Inc.
MT29RZ4C4DZZMGMF-18W.80C
Micron Technology Inc.
MT29RZ4C4DZZMGMF-18W.80C TR
Micron Technology Inc.
MT29RZ4C8DZZMHAN-18W.80D
Micron Technology Inc.
MT29RZ4C8DZZMHAN-18W.80D TR
Micron Technology Inc.
MT29TZZZ7D7EKKBT-107 W.97V
Micron Technology Inc.
MT29TZZZ7D7EKKBT-107 W.97V TR
Micron Technology Inc.
MT29TZZZ8D5JKEPD-125 W.95T TR
Micron Technology Inc.
XA3S1600E-4FG400I
Xilinx Inc.
XA3S250E-4VQG100I
Xilinx Inc.
M2GL090T-FCSG325I
Microsemi Corporation
EP4CE15F17A7N
Intel
ICE40LM2K-CM36
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC10E-3QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-150EA-7LFN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F780I3N
Intel
EP2AGZ300FF35I4N
Intel