casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT29RZ4C4DZZMGGM-18W.80C
Número de pieza del fabricante | MT29RZ4C4DZZMGGM-18W.80C |
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Número de parte futuro | FT-MT29RZ4C4DZZMGGM-18W.80C |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT29RZ4C4DZZMGGM-18W.80C Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH, RAM |
Tecnología | FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2 |
Tamaño de la memoria | 4Gb (256M x 16)(NAND), 4G (128M x 32)(LPDDR2) |
Frecuencia de reloj | 533MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.8V |
Temperatura de funcionamiento | -25°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | - |
Paquete / Caja | - |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29RZ4C4DZZMGGM-18W.80C Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT29RZ4C4DZZMGGM-18W.80C-FT |
MT29F2G08ABBEAH4-AITX:E
Micron Technology Inc.
MT29F2G08ABBEAH4-AITX:E TR
Micron Technology Inc.
MT29F2G08ABBGAM79A3WC1
Micron Technology Inc.
MT29F2G16ABAEAWP-AAT:E
Micron Technology Inc.
MT29F2G16ABAEAWP-AAT:E TR
Micron Technology Inc.
MT29F2G16ABBEAH4-AAT:E
Micron Technology Inc.
MT29F2G16ABBEAH4-AAT:E TR
Micron Technology Inc.
MT29F2T08CUHBBM4-3R:B
Micron Technology Inc.
MT29F2T08CUHBBM4-3R:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F2T08EMHAFJ4-3T:A
Micron Technology Inc.
LCMXO2-1200ZE-1UWG25ITR
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S25B672C6N
Intel
XC2V1000-4BGG575C
Xilinx Inc.
XC5VLX50T-2FFG1136C
Xilinx Inc.
AGL125V5-QNG132
Microsemi Corporation
ICE40LP1K-CM121
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-8LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29C4N
Intel
EPF10K30RC208-3N
Intel
5SGXMA3H1F35C1N
Intel