casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT29F2T08CUHBBM4-3R:B
Número de pieza del fabricante | MT29F2T08CUHBBM4-3R:B |
---|---|
Número de parte futuro | FT-MT29F2T08CUHBBM4-3R:B |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT29F2T08CUHBBM4-3R:B Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NAND |
Tamaño de la memoria | 2Tb (256G x 8) |
Frecuencia de reloj | 333MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.5V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montaje | - |
Paquete / Caja | - |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F2T08CUHBBM4-3R:B Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT29F2T08CUHBBM4-3R:B-FT |
MT29E256G08CECCBH6-6:C
Micron Technology Inc.
MT29E256G08CECCBH6-6:C TR
Micron Technology Inc.
MT29E2T08CTCCBJ7-6:C
Micron Technology Inc.
MT29E2T08CTCCBJ7-6:C TR
Micron Technology Inc.
MT29E2T08CUHBBM4-3:B
Micron Technology Inc.
MT29E2T08CUHBBM4-3:B TR
Micron Technology Inc.
MT29E3T08EUHBBM4-3:B
Micron Technology Inc.
MT29E3T08EUHBBM4-3:B TR
Micron Technology Inc.
MT29E4T08CTHBBM5-3:B
Micron Technology Inc.
MT29E4T08CTHBBM5-3:B TR
Micron Technology Inc.
A42MX36-BGG272
Microsemi Corporation
A3PN125-Z2VQ100
Microsemi Corporation
EP2C70F672I8
Intel
EP4CGX110DF27C8N
Intel
EP20K30EFI144-2X
Intel
XC7K480T-L2FFG901I
Xilinx Inc.
XC7A25T-1CPG238I
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000HC-6FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C5N
Intel
EP1C12F324C7N
Intel