casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT29E2T08CTCCBJ7-6:C TR
Número de pieza del fabricante | MT29E2T08CTCCBJ7-6:C TR |
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Número de parte futuro | FT-MT29E2T08CTCCBJ7-6:C TR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT29E2T08CTCCBJ7-6:C TR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NAND |
Tamaño de la memoria | 2Tb (256G x 8) |
Frecuencia de reloj | 167MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | - |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29E2T08CTCCBJ7-6:C TR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT29E2T08CTCCBJ7-6:C TR-FT |
MT53D768M64D8NZ-046 WT:E
Micron Technology Inc.
MT53D768M64D8NZ-046 WT:E TR
Micron Technology Inc.
MT53E1G32D4NQ-053 WT:E
Micron Technology Inc.
MT53E1G32D4NQ-053 WT:E TR
Micron Technology Inc.
MT53E2G32D8QD-053 WT:E
Micron Technology Inc.
MT53E2G32D8QD-053 WT:E TR
Micron Technology Inc.
MT53E512M32D2NP-046 WT:E
Micron Technology Inc.
MT53E512M32D2NP-046 WT:E TR
Micron Technology Inc.
MT53E512M64D4NW-053 WT:E
Micron Technology Inc.
MT53E512M64D4NW-053 WT:E TR
Micron Technology Inc.
LCMXO2280C-3FT256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1SGX25DF672I6
Intel
10M25DAF484C8G
Intel
XC7VX690T-1FFG1158C
Xilinx Inc.
A42MX16-FPLG84
Microsemi Corporation
LFE2-20E-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35SE-7F256C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC7D6F31I7N
Intel
EP3SL110F780I4
Intel
10AX027E1F29I1HG
Intel