casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT29RZ4C8DZZMHAN-18W.80D
Número de pieza del fabricante | MT29RZ4C8DZZMHAN-18W.80D |
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Número de parte futuro | FT-MT29RZ4C8DZZMHAN-18W.80D |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT29RZ4C8DZZMHAN-18W.80D Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH, RAM |
Tecnología | FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2 |
Tamaño de la memoria | 4Gb (256M x 16)(NAND), 4G (128M x 32)(LPDDR2) |
Frecuencia de reloj | 533MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.8V |
Temperatura de funcionamiento | -25°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | - |
Paquete / Caja | - |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29RZ4C8DZZMHAN-18W.80D Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT29RZ4C8DZZMHAN-18W.80D-FT |
MT29F2G16ABAEAWP-AAT:E TR
Micron Technology Inc.
MT29F2G16ABBEAH4-AAT:E
Micron Technology Inc.
MT29F2G16ABBEAH4-AAT:E TR
Micron Technology Inc.
MT29F2T08CUHBBM4-3R:B
Micron Technology Inc.
MT29F2T08CUHBBM4-3R:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F2T08EMHAFJ4-3T:A
Micron Technology Inc.
MT29F2T08EMHAFJ4-3T:A TR
Micron Technology Inc.
MT29F32G08ABAAAWP-ITZ:A TR
Micron Technology Inc.
MT29F32G08ABCABH1-10Z:A
Micron Technology Inc.
MT29F32G08ABCABH1-10Z:A TR
Micron Technology Inc.
XC7A50T-3FGG484E
Xilinx Inc.
M1AGL1000V5-FGG484
Microsemi Corporation
A3P250L-VQG100
Microsemi Corporation
5SGXEA4H3F35C4N
Intel
XC6VHX250T-1FF1154I
Xilinx Inc.
XC6SLX16-L1CSG225C
Xilinx Inc.
XC6SLX25T-3CSG324C
Xilinx Inc.
LCMXO640E-4BN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-3MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX260FF35I3
Intel