casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT29F2T08EMHAFJ4-3T:A TR
Número de pieza del fabricante | MT29F2T08EMHAFJ4-3T:A TR |
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Número de parte futuro | FT-MT29F2T08EMHAFJ4-3T:A TR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT29F2T08EMHAFJ4-3T:A TR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NAND |
Tamaño de la memoria | 2Tb (256G x 8) |
Frecuencia de reloj | 333MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.5V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montaje | - |
Paquete / Caja | - |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F2T08EMHAFJ4-3T:A TR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT29F2T08EMHAFJ4-3T:A TR-FT |
MT29E2T08CTCCBJ7-6:C TR
Micron Technology Inc.
MT29E2T08CUHBBM4-3:B
Micron Technology Inc.
MT29E2T08CUHBBM4-3:B TR
Micron Technology Inc.
MT29E3T08EUHBBM4-3:B
Micron Technology Inc.
MT29E3T08EUHBBM4-3:B TR
Micron Technology Inc.
MT29E4T08CTHBBM5-3:B
Micron Technology Inc.
MT29E4T08CTHBBM5-3:B TR
Micron Technology Inc.
MT29E512G08CEHBBJ4-3:B
Micron Technology Inc.
MT29E512G08CEHBBJ4-3:B TR
Micron Technology Inc.
MT29E512G08CKCCBH7-6:C TR
Micron Technology Inc.
A54SX08A-PQG208A
Microsemi Corporation
M1AGL250V5-VQ100I
Microsemi Corporation
EP4CE40F23C8N
Intel
5AGXMA5D4F27I5N
Intel
XC7V585T-2FF1761I
Xilinx Inc.
LFE5U-12F-8BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA2F23I7N
Intel
10AX090R2F40E2SG
Intel
EP4CGX110DF31C8
Intel
EP2S180F1508C5
Intel