casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT46V32M16P-5B:J TR
Número de pieza del fabricante | MT46V32M16P-5B:J TR |
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Número de parte futuro | FT-MT46V32M16P-5B:J TR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT46V32M16P-5B:J TR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - DDR |
Tamaño de la memoria | 512Mb (32M x 16) |
Frecuencia de reloj | 200MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 15ns |
Tiempo de acceso | 700ps |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.5V ~ 2.7V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 66-TSOP |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT46V32M16P-5B:J TR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT46V32M16P-5B:J TR-FT |
MT29F8G08BAAWP:A TR
Micron Technology Inc.
MT29F8G08FACWP:C TR
Micron Technology Inc.
NAND01GW3B2CN6E
Micron Technology Inc.
NAND02GR3B2DN6E
Micron Technology Inc.
NAND02GW3B2DN6E
Micron Technology Inc.
NAND04GR3B2DN6E
Micron Technology Inc.
NAND04GW3B2DN6E
Micron Technology Inc.
NAND04GW3C2BN6E
Micron Technology Inc.
NAND08GW3C2BN6E
Micron Technology Inc.
NAND08GW3D2AN6E
Micron Technology Inc.
APA750-FG896A
Microsemi Corporation
AGLN125V2-VQ100I
Microsemi Corporation
AT40K20AL-1CQC
Microchip Technology
EP4CE6F17C8
Intel
10AX027H2F35I2LG
Intel
A42MX09-PQG100I
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-6FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX190FF35C4N
Intel
5CEFA2M13C8N
Intel
EP4SGX110FF35C2XN
Intel