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NAND04GR3B2DN6E Image

Micron Technology Inc. NAND04GR3B2DN6E

Número de pieza de MFG
NAND04GR3B2DN6E
Cantidad disponible
50830 Piezas
Precio de referencia
USD 0
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Fecha de envío
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fabricante
Micron Technology Inc.
Breve descripción
- IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Memoria
Recurso de stock
Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
NAND04GR3B2DN6E.pdf
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Número de pieza del fabricante NAND04GR3B2DN6E
Número de parte futuro FT-NAND04GR3B2DN6E
SPQ / MOQ Contáctenos
Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie -
NAND04GR3B2DN6E Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Discontinued at Future Semiconductor
Tipo de memoria Non-Volatile
Formato de memoria FLASH
Tecnología FLASH - NAND
Tamaño de la memoria 4Gb (512M x 8)
Frecuencia de reloj -
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página 25ns
Tiempo de acceso 25ns
interfaz de memoria Parallel
Suministro de voltaje 1.7V ~ 1.95V
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caja 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Paquete del dispositivo del proveedor 48-TSOP
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NAND04GR3B2DN6E Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto NAND04GR3B2DN6E-FT

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