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Micron Technology Inc. NAND04GW3C2BN6E

Name: NAND04GW3C2BN6E
Brand: Micron Technology Inc.
SKU: NAND04GW3C2BN6E
Availability: InStock
Rating: 4.8 (709 reviews)

Número de pieza de MFG: NAND04GW3C2BN6E

Cantidad disponible: 58510 Piezas

Precio de referencia: USD 0

Nuestro precio: Tenemos un gran descuento, contáctenos

Fecha de envío: Podemos enviar hoy

fabricante: Micron Technology Inc.

Breve descripción: - IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Memoria

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: NAND04GW3C2BN6E.pdf

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NAND04GW3C2BN6E Presupuesto

Número de pieza del fabricante	NAND04GW3C2BN6E
Número de parte futuro	FT-NAND04GW3C2BN6E
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
NAND04GW3C2BN6E Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo de memoria	Non-Volatile
Formato de memoria	FLASH
Tecnología	FLASH - NAND
Tamaño de la memoria	4Gb (512M x 8)
Frecuencia de reloj	-
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página	25ns
Tiempo de acceso	25ns
interfaz de memoria	Parallel
Suministro de voltaje	2.7V ~ 3.6V
Temperatura de funcionamiento	-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / Caja	48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Paquete del dispositivo del proveedor	48-TSOP
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NAND04GW3C2BN6E Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	NAND04GW3C2BN6E-FT

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