casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT46V128M4P-5B:D TR
Número de pieza del fabricante | MT46V128M4P-5B:D TR |
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Número de parte futuro | FT-MT46V128M4P-5B:D TR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT46V128M4P-5B:D TR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - DDR |
Tamaño de la memoria | 512Mb (128M x 4) |
Frecuencia de reloj | 200MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 15ns |
Tiempo de acceso | 700ps |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.5V ~ 2.7V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 66-TSOP |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT46V128M4P-5B:D TR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT46V128M4P-5B:D TR-FT |
NAND01GW3B2CN6E
Micron Technology Inc.
NAND02GR3B2DN6E
Micron Technology Inc.
NAND02GW3B2DN6E
Micron Technology Inc.
NAND04GR3B2DN6E
Micron Technology Inc.
NAND04GW3B2DN6E
Micron Technology Inc.
NAND04GW3C2BN6E
Micron Technology Inc.
NAND08GW3C2BN6E
Micron Technology Inc.
NAND08GW3D2AN6E
Micron Technology Inc.
NAND08GW3F2AN6E
Micron Technology Inc.
NAND128W3A0BN6E
Micron Technology Inc.
XC2VP4-5FGG256I
Xilinx Inc.
XC3S200-5FT256C
Xilinx Inc.
XC7A100T-L2FTG256E
Xilinx Inc.
XC6SLX150T-N3FG484C
Xilinx Inc.
LCMXO3LF-2100E-5UWG49CTR1K
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX16-1VQG100I
Microsemi Corporation
5SGXEA5K2F35I3N
Intel
5SGXEA7K2F35C2
Intel
EPF10K100EBC356-2
Intel
EPF10K100EQC240-1N
Intel