casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT46V128M4CY-5B:J TR
Número de pieza del fabricante | MT46V128M4CY-5B:J TR |
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Número de parte futuro | FT-MT46V128M4CY-5B:J TR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT46V128M4CY-5B:J TR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - DDR |
Tamaño de la memoria | 512Mb (128M x 4) |
Frecuencia de reloj | 200MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 15ns |
Tiempo de acceso | 700ps |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.5V ~ 2.7V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montaje | - |
Paquete / Caja | - |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT46V128M4CY-5B:J TR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT46V128M4CY-5B:J TR-FT |
MT29F768G08EEHBBJ4-3R:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F8G08ABACAM71M3WC1
Micron Technology Inc.
MT29F8G08ADADAH4-IT:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F8G08ADBDAH4-AAT:D
Micron Technology Inc.
MT29F8G08ADBDAH4-AAT:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F8G16ADBDAH4-AIT:D
Micron Technology Inc.
MT29PZZZ4D4BKEPK-18 W.94H
Micron Technology Inc.
MT29PZZZ4D4BKEPK-18 W.94H TR
Micron Technology Inc.
MT29RZ4C4DZZMGGM-18W.80C
Micron Technology Inc.
MT29RZ4C4DZZMGGM-18W.80C TR
Micron Technology Inc.
XC7A50T-3FGG484E
Xilinx Inc.
M1AGL1000V5-FGG484
Microsemi Corporation
A3P250L-VQG100
Microsemi Corporation
5SGXEA4H3F35C4N
Intel
XC6VHX250T-1FF1154I
Xilinx Inc.
XC6SLX16-L1CSG225C
Xilinx Inc.
XC6SLX25T-3CSG324C
Xilinx Inc.
LCMXO640E-4BN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-3MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX260FF35I3
Intel