casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT29F8G08ADBDAH4-AAT:D TR
Número de pieza del fabricante | MT29F8G08ADBDAH4-AAT:D TR |
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Número de parte futuro | FT-MT29F8G08ADBDAH4-AAT:D TR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q100 |
MT29F8G08ADBDAH4-AAT:D TR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NAND |
Tamaño de la memoria | 8Gb (1G x 8) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.7V ~ 1.95V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 105°C (TA) |
Tipo de montaje | - |
Paquete / Caja | - |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F8G08ADBDAH4-AAT:D TR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT29F8G08ADBDAH4-AAT:D TR-FT |
MT29F2G08ABAEAH4-AITX:E
Micron Technology Inc.
MT29F2G08ABAGAH4-IT:G
Micron Technology Inc.
MT29F2G08ABAGAH4-ITE:G
Micron Technology Inc.
MT29F2G08ABAGAM79A3WC1
Micron Technology Inc.
MT29F2G08ABBEAH4-AITX:E
Micron Technology Inc.
MT29F2G08ABBEAH4-AITX:E TR
Micron Technology Inc.
MT29F2G08ABBGAM79A3WC1
Micron Technology Inc.
MT29F2G16ABAEAWP-AAT:E
Micron Technology Inc.
MT29F2G16ABAEAWP-AAT:E TR
Micron Technology Inc.
MT29F2G16ABBEAH4-AAT:E
Micron Technology Inc.
LCMXO2-1200ZE-1UWG25ITR
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S25B672C6N
Intel
XC2V1000-4BGG575C
Xilinx Inc.
XC5VLX50T-2FFG1136C
Xilinx Inc.
AGL125V5-QNG132
Microsemi Corporation
ICE40LP1K-CM121
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-8LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29C4N
Intel
EPF10K30RC208-3N
Intel
5SGXMA3H1F35C1N
Intel