casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT29F2G08ABAGAM79A3WC1
Número de pieza del fabricante | MT29F2G08ABAGAM79A3WC1 |
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Número de parte futuro | FT-MT29F2G08ABAGAM79A3WC1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT29F2G08ABAGAM79A3WC1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NAND |
Tamaño de la memoria | 2Gb (256M x 8) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montaje | - |
Paquete / Caja | - |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F2G08ABAGAM79A3WC1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT29F2G08ABAGAM79A3WC1-FT |
MT29AZ5A3CHHWD-18AAT.84F
Micron Technology Inc.
MT29AZ5A3CHHWD-18AAT.84F TR
Micron Technology Inc.
MT29E1HT08EMHBBJ4-3:B
Micron Technology Inc.
MT29E1HT08EMHBBJ4-3:B TR
Micron Technology Inc.
MT29E1T08CMHBBJ4-3:B
Micron Technology Inc.
MT29E1T08CMHBBJ4-3:B TR
Micron Technology Inc.
MT29E1T08CUCCBH8-6:C
Micron Technology Inc.
MT29E1T08CUCCBH8-6:C TR
Micron Technology Inc.
MT29E256G08CECCBH6-6:C
Micron Technology Inc.
MT29E256G08CECCBH6-6:C TR
Micron Technology Inc.
XC6SLX100-2FG484I
Xilinx Inc.
EP4S100G2F40I1N
Intel
5SGXMA5H2F35I3LN
Intel
A1020B-PL44C
Microsemi Corporation
XC5VLX330T-1FFG1738I
Xilinx Inc.
XC6SLX4-2CPG196I
Xilinx Inc.
A54SX32A-FBG329
Microsemi Corporation
LCMXO2-256ZE-2UMG64I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-5FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C4LN
Intel