casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT29AZ5A3CHHWD-18AAT.84F TR
Número de pieza del fabricante | MT29AZ5A3CHHWD-18AAT.84F TR |
---|---|
Número de parte futuro | FT-MT29AZ5A3CHHWD-18AAT.84F TR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q100 |
MT29AZ5A3CHHWD-18AAT.84F TR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH, RAM |
Tecnología | FLASH - NAND, Mobile LPDRAM |
Tamaño de la memoria | 4Gb (512M x 8)(NAND), 8Gb (512M x 16)(LPDDR2) |
Frecuencia de reloj | 533MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.7V ~ 1.9V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 105°C (TA) |
Tipo de montaje | - |
Paquete / Caja | - |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29AZ5A3CHHWD-18AAT.84F TR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT29AZ5A3CHHWD-18AAT.84F TR-FT |
MT53D512M32D2DS-053 AIT:D
Micron Technology Inc.
MT53D512M32D2DS-053 AIT:D TR
Micron Technology Inc.
MT53D512M32D2DS-053 WT:D
Micron Technology Inc.
MT53D512M32D2DS-053 WT:D TR
Micron Technology Inc.
MT53D512M64D4HR-053 WT:D
Micron Technology Inc.
MT53D512M64D4NZ-046 WT:E
Micron Technology Inc.
MT53D512M64D4NZ-046 WT:E TR
Micron Technology Inc.
MT53D512M64D4NZ-053 WT:D
Micron Technology Inc.
MT53D512M64D4NZ-053 WT:D TR
Micron Technology Inc.
MT53D512M64D4SB-046 XT:E
Micron Technology Inc.
LCMXO2280E-4T144C
Lattice Semiconductor Corporation
XA3S200-4PQG208Q
Xilinx Inc.
AX125-FG256I
Microsemi Corporation
5CGXFC7D6F27I7N
Intel
5SGSMD6K1F40I2N
Intel
5SGXEA4K3F35I3N
Intel
XC4010E-2HQ208C
Xilinx Inc.
A40MX04-2PL84I
Microsemi Corporation
ICE40HX8K-CT256
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX360FF35C2XN
Intel