casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT53D512M64D4NZ-046 WT:E TR
Número de pieza del fabricante | MT53D512M64D4NZ-046 WT:E TR |
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Número de parte futuro | FT-MT53D512M64D4NZ-046 WT:E TR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT53D512M64D4NZ-046 WT:E TR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
Tamaño de la memoria | 32Gb (512M x 64) |
Frecuencia de reloj | 2133MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | - |
Suministro de voltaje | 1.1V |
Temperatura de funcionamiento | -30°C ~ 85°C (TC) |
Tipo de montaje | - |
Paquete / Caja | - |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT53D512M64D4NZ-046 WT:E TR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT53D512M64D4NZ-046 WT:E TR-FT |
IS43DR81280B-25DBL
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43DR81280B-25DBL-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43DR81280B-25DBLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43DR81280B-25DBLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43DR81280B-3DBL
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43DR81280B-3DBL-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43DR81280B-3DBLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43DR81280B-3DBLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43DR81280C-25DBLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43DR81280C-3DBLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
A54SX32A-TQG144
Microsemi Corporation
LCMXO1200C-4T100I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280C-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSED8K3F40I4N
Intel
10CX150YF672E6G
Intel
5SGXEA9N3F45I4N
Intel
LFEC33E-5F672C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HE-5BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115H3F34E2SG
Intel
EP3SE50F780C4
Intel