casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT29AZ5A3CHHWD-18AAT.84F
Número de pieza del fabricante | MT29AZ5A3CHHWD-18AAT.84F |
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Número de parte futuro | FT-MT29AZ5A3CHHWD-18AAT.84F |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q100 |
MT29AZ5A3CHHWD-18AAT.84F Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH, RAM |
Tecnología | FLASH - NAND, Mobile LPDRAM |
Tamaño de la memoria | 4Gb (512M x 8)(NAND), 8Gb (512M x 16)(LPDDR2) |
Frecuencia de reloj | 533MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.7V ~ 1.9V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 105°C (TA) |
Tipo de montaje | - |
Paquete / Caja | - |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29AZ5A3CHHWD-18AAT.84F Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT29AZ5A3CHHWD-18AAT.84F-FT |
MT53D512M32D2DS-053 AAT:D TR
Micron Technology Inc.
MT53D512M32D2DS-053 AIT:D
Micron Technology Inc.
MT53D512M32D2DS-053 AIT:D TR
Micron Technology Inc.
MT53D512M32D2DS-053 WT:D
Micron Technology Inc.
MT53D512M32D2DS-053 WT:D TR
Micron Technology Inc.
MT53D512M64D4HR-053 WT:D
Micron Technology Inc.
MT53D512M64D4NZ-046 WT:E
Micron Technology Inc.
MT53D512M64D4NZ-046 WT:E TR
Micron Technology Inc.
MT53D512M64D4NZ-053 WT:D
Micron Technology Inc.
MT53D512M64D4NZ-053 WT:D TR
Micron Technology Inc.
A1020B-VQ80I
Microsemi Corporation
XC4020XL-2HT144C
Xilinx Inc.
A54SX16A-FG256I
Microsemi Corporation
A3PN125-VQG100I
Microsemi Corporation
EP2C35F484I8
Intel
10M08SAU169A7G
Intel
5SGXEA5K1F35C2LN
Intel
5SGXEA4K1F35I2N
Intel
AX1000-1FGG676I
Microsemi Corporation
EPF10K50SQC208-1N
Intel