casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT29RZ4B4DZZMGWD-18I.80C
Número de pieza del fabricante | MT29RZ4B4DZZMGWD-18I.80C |
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Número de parte futuro | FT-MT29RZ4B4DZZMGWD-18I.80C |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT29RZ4B4DZZMGWD-18I.80C Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH, RAM |
Tecnología | FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2 |
Tamaño de la memoria | 4Gb (128M x 32)(NAND), 4G (128M x 32)(LPDDR2) |
Frecuencia de reloj | 533MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.8V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 162-VFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 162-VFBGA (10.5x8) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29RZ4B4DZZMGWD-18I.80C Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT29RZ4B4DZZMGWD-18I.80C-FT |
MT52L256M32D1PF-107 WT ES:B TR
Micron Technology Inc.
MT52L512M32D2PF-093 WT ES:B TR
Micron Technology Inc.
EDB4432BBPA-1D-F-D
Micron Technology Inc.
EDB4432BBPA-1D-F-R TR
Micron Technology Inc.
EDB8132B4PB-8D-F-D
Micron Technology Inc.
EDB8132B4PB-8D-F-R TR
Micron Technology Inc.
EDB8132B4PM-1D-F-D
Micron Technology Inc.
EDB8132B4PM-1D-F-R TR
Micron Technology Inc.
M58BW16FB5ZA3F
Micron Technology Inc.
M58BW16FB5ZA3F TR
Micron Technology Inc.
XC2S15-5TQ144C
Xilinx Inc.
A54SX08A-TQG144
Microsemi Corporation
AT40K20-2CQC
Microchip Technology
10M08SCE144C8G
Intel
10M04SFE144C8G
Intel
5CGXFC5F7M11C8N
Intel
A42MX09-2PQG160
Microsemi Corporation
5CGXFC3B6F23C6N
Intel
EPF10K50VRI240-4N
Intel
EP20K100EQC240-1X
Intel