casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / EDB4432BBPA-1D-F-D
Número de pieza del fabricante | EDB4432BBPA-1D-F-D |
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Número de parte futuro | FT-EDB4432BBPA-1D-F-D |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
EDB4432BBPA-1D-F-D Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - Mobile LPDDR2 |
Tamaño de la memoria | 4Gb (128M x 32) |
Frecuencia de reloj | 533MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.14V ~ 1.95V |
Temperatura de funcionamiento | -30°C ~ 85°C (TC) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 168-WFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 168-FBGA (12x12) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EDB4432BBPA-1D-F-D Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | EDB4432BBPA-1D-F-D-FT |
N25Q032A13EF440F TR
Micron Technology Inc.
MT47H32M16NF-25E IT:H TR
Micron Technology Inc.
MT47H32M16NF-25E AAT:H
Micron Technology Inc.
MT47H32M16NF-25E AIT:H
Micron Technology Inc.
MT47H32M16NF-187E:H
Micron Technology Inc.
MT47H32M16NF-187E:H TR
Micron Technology Inc.
MT47H32M16NF-25E AUT:H TR
Micron Technology Inc.
MT47H32M16NF-25E IT:H
Micron Technology Inc.
MT47H32M16NF-25E:H
Micron Technology Inc.
MT40A1G4RH-083E:B
Micron Technology Inc.
LCMXO2-1200ZE-1UWG25ITR
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S25B672C6N
Intel
XC2V1000-4BGG575C
Xilinx Inc.
XC5VLX50T-2FFG1136C
Xilinx Inc.
AGL125V5-QNG132
Microsemi Corporation
ICE40LP1K-CM121
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-8LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29C4N
Intel
EPF10K30RC208-3N
Intel
5SGXMA3H1F35C1N
Intel