casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT47H32M16NF-25E IT:H
Número de pieza del fabricante | MT47H32M16NF-25E IT:H |
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Número de parte futuro | FT-MT47H32M16NF-25E IT:H |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT47H32M16NF-25E IT:H Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - DDR2 |
Tamaño de la memoria | 512Mb (32M x 16) |
Frecuencia de reloj | 400MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 15ns |
Tiempo de acceso | 400ps |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.7V ~ 1.9V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 95°C (TC) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 84-TFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 84-FBGA (8x12.5) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT47H32M16NF-25E IT:H Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT47H32M16NF-25E IT:H-FT |
M29W320ET70ZE6E
Micron Technology Inc.
M29W320ET70ZE6F TR
Micron Technology Inc.
M29W400BT55ZA1
Micron Technology Inc.
M29W400DB45ZE6E
Micron Technology Inc.
M29W400DB55ZE6E
Micron Technology Inc.
M29W400DB70ZE6E
Micron Technology Inc.
M29W400DT55ZE6E
Micron Technology Inc.
M29W400DT55ZE6F TR
Micron Technology Inc.
M29W400DT70ZE6E
Micron Technology Inc.
M29W640FB70ZA6E
Micron Technology Inc.
LCMXO2-2000ZE-1TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN125V5-CSG81
Microsemi Corporation
A54SX16A-1FGG256M
Microsemi Corporation
A3P250-2VQ100
Microsemi Corporation
10M04DAF256C7G
Intel
EP4CE6F17C8
Intel
XC5VLX50-1FFG676CES
Xilinx Inc.
LFXP6C-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-70SE-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SE230F29C3N
Intel