casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / EDB8132B4PB-8D-F-R TR
Número de pieza del fabricante | EDB8132B4PB-8D-F-R TR |
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Número de parte futuro | FT-EDB8132B4PB-8D-F-R TR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
EDB8132B4PB-8D-F-R TR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - Mobile LPDDR2 |
Tamaño de la memoria | 8Gb (256M x 32) |
Frecuencia de reloj | 400MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.14V ~ 1.95V |
Temperatura de funcionamiento | -30°C ~ 85°C (TC) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 168-WFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 168-FBGA (12x12) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EDB8132B4PB-8D-F-R TR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | EDB8132B4PB-8D-F-R TR-FT |
MT47H32M16NF-25E AIT:H
Micron Technology Inc.
MT47H32M16NF-187E:H
Micron Technology Inc.
MT47H32M16NF-187E:H TR
Micron Technology Inc.
MT47H32M16NF-25E AUT:H TR
Micron Technology Inc.
MT47H32M16NF-25E IT:H
Micron Technology Inc.
MT47H32M16NF-25E:H
Micron Technology Inc.
MT40A1G4RH-083E:B
Micron Technology Inc.
MT40A512M8RH-083E IT:B TR
Micron Technology Inc.
MT40A1G4RH-075E:B TR
Micron Technology Inc.
MT40A512M8RH-083E:B
Micron Technology Inc.
A54SX32A-TQG144
Microsemi Corporation
LCMXO1200C-4T100I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280C-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSED8K3F40I4N
Intel
10CX150YF672E6G
Intel
5SGXEA9N3F45I4N
Intel
LFEC33E-5F672C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HE-5BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115H3F34E2SG
Intel
EP3SE50F780C4
Intel