casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT29RZ2B2DZZHHTB-18W.88F
Número de pieza del fabricante | MT29RZ2B2DZZHHTB-18W.88F |
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Número de parte futuro | FT-MT29RZ2B2DZZHHTB-18W.88F |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT29RZ2B2DZZHHTB-18W.88F Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH, RAM |
Tecnología | FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2 |
Tamaño de la memoria | 2Gb (256M x 8)(NAND), 2G (64M x 32)(LPDDR2) |
Frecuencia de reloj | 533MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.8V |
Temperatura de funcionamiento | -25°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 162-VFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 162-VFBGA (10.5x8) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29RZ2B2DZZHHTB-18W.88F Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT29RZ2B2DZZHHTB-18W.88F-FT |
EDB8132B4PB-8D-F-R TR
Micron Technology Inc.
EDB8132B4PM-1D-F-D
Micron Technology Inc.
EDB8132B4PM-1D-F-R TR
Micron Technology Inc.
M58BW16FB5ZA3F
Micron Technology Inc.
M58BW16FB5ZA3F TR
Micron Technology Inc.
M58LT128HSB8ZA6E
Micron Technology Inc.
M58LT128HSB8ZA6F TR
Micron Technology Inc.
M58LT128HST8ZA6E
Micron Technology Inc.
M58LT128HST8ZA6F TR
Micron Technology Inc.
M58LT256JSB8ZA6E
Micron Technology Inc.
XCKU035-1FBVA676I
Xilinx Inc.
XC3S100E-4VQ100C
Xilinx Inc.
M2GL090TS-1FCSG325I
Microsemi Corporation
A3PE3000-2FGG484I
Microsemi Corporation
A3PN030-Z1QNG48I
Microsemi Corporation
M1A3P250-2PQG208
Microsemi Corporation
EP4CE10F17A7N
Intel
EPF10K30EFC256-3
Intel
LFE2-20E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K100EFC324-1
Intel