casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / M58LT256JSB8ZA6E
Número de pieza del fabricante | M58LT256JSB8ZA6E |
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Número de parte futuro | FT-M58LT256JSB8ZA6E |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
M58LT256JSB8ZA6E Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NOR |
Tamaño de la memoria | 256Mb (16M x 16) |
Frecuencia de reloj | 52MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 85ns |
Tiempo de acceso | 85ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.7V ~ 2V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 80-LBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 80-LBGA (10x12) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M58LT256JSB8ZA6E Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | M58LT256JSB8ZA6E-FT |
MT40A512M8RH-083E:B
Micron Technology Inc.
MT41K512M8RH-125 AAT:E
Micron Technology Inc.
MT41K512M8RH-125 AAT:E TR
Micron Technology Inc.
MT41K512M8RH-125 AIT:E
Micron Technology Inc.
MT41K512M8RH-125 AIT:E TR
Micron Technology Inc.
MT41K512M8RH-125 IT:E
Micron Technology Inc.
MT41K512M8RH-125 IT:E TR
Micron Technology Inc.
MT41K512M8RH-125 M AIT:E
Micron Technology Inc.
MT41K512M8RH-125 M AIT:E TR
Micron Technology Inc.
MT41K512M8RH-125 M:E
Micron Technology Inc.
A54SX32A-FGG484
Microsemi Corporation
EP4S100G3F45I1
Intel
EP4SE820F43I4N
Intel
5SGXMA7K1F35C2LN
Intel
XC6VLX365T-L1FF1759I
Xilinx Inc.
XC2VP30-7FFG896C
Xilinx Inc.
AGL1000V5-FG144
Microsemi Corporation
LFXP2-30E-6F672C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXBC4C7U19C8N
Intel
EP1S25F1020C5
Intel