casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT29RZ2B1DZZHGWD-18I.83G TR
Número de pieza del fabricante | MT29RZ2B1DZZHGWD-18I.83G TR |
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Número de parte futuro | FT-MT29RZ2B1DZZHGWD-18I.83G TR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT29RZ2B1DZZHGWD-18I.83G TR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH, RAM |
Tecnología | FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2 |
Tamaño de la memoria | 2Gb (256M x 8)(NAND), 1G (32M x 32)(LPDDR2) |
Frecuencia de reloj | 533MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.8V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 162-VFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 162-VFBGA (10.5x8) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29RZ2B1DZZHGWD-18I.83G TR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT29RZ2B1DZZHGWD-18I.83G TR-FT |
EDB4432BBPA-1D-F-D
Micron Technology Inc.
EDB4432BBPA-1D-F-R TR
Micron Technology Inc.
EDB8132B4PB-8D-F-D
Micron Technology Inc.
EDB8132B4PB-8D-F-R TR
Micron Technology Inc.
EDB8132B4PM-1D-F-D
Micron Technology Inc.
EDB8132B4PM-1D-F-R TR
Micron Technology Inc.
M58BW16FB5ZA3F
Micron Technology Inc.
M58BW16FB5ZA3F TR
Micron Technology Inc.
M58LT128HSB8ZA6E
Micron Technology Inc.
M58LT128HSB8ZA6F TR
Micron Technology Inc.
EP1K30TC144-1N
Intel
LFEC3E-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2S200-6PQG208C
Xilinx Inc.
APA300-PQ208
Microsemi Corporation
ICE65L04F-LCB132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C35U484C8N
Intel
A42MX24-2PL84I
Microsemi Corporation
M1AGL1000V2-FGG144
Microsemi Corporation
LFE3-150EA-7FN672CTW
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX180HF35I4N
Intel