casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT29F4G16ABBFAH4-AATES:F TR
Número de pieza del fabricante | MT29F4G16ABBFAH4-AATES:F TR |
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Número de parte futuro | FT-MT29F4G16ABBFAH4-AATES:F TR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q100 |
MT29F4G16ABBFAH4-AATES:F TR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NAND |
Tamaño de la memoria | 4Gb (256M x 16) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.7V ~ 1.95V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 105°C (TC) |
Tipo de montaje | - |
Paquete / Caja | - |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F4G16ABBFAH4-AATES:F TR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT29F4G16ABBFAH4-AATES:F TR-FT |
MT29F32G08CBACAL73A3WC1PV
Micron Technology Inc.
MT29F32G08CBACAWP-IT:C TR
Micron Technology Inc.
MT29F32G08CBCDBJ4-10:D
Micron Technology Inc.
MT29F32G08CBCDBJ4-10:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F32G08CBECBL73A3WC1
Micron Technology Inc.
MT29F32G08CBECBL73A3WC1P
Micron Technology Inc.
MT29F384G08EBCBBJ4-37:B
Micron Technology Inc.
MT29F384G08EBCBBJ4-37:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F384G08EBCBBJ4-37ES:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F384G08EBHBBB0KB3WC1-R
Micron Technology Inc.
A54SX32A-TQG144
Microsemi Corporation
LCMXO1200C-4T100I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280C-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSED8K3F40I4N
Intel
10CX150YF672E6G
Intel
5SGXEA9N3F45I4N
Intel
LFEC33E-5F672C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HE-5BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115H3F34E2SG
Intel
EP3SE50F780C4
Intel