casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT29F2G08ABAEAH4-AATX:E
Número de pieza del fabricante | MT29F2G08ABAEAH4-AATX:E |
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Número de parte futuro | FT-MT29F2G08ABAEAH4-AATX:E |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT29F2G08ABAEAH4-AATX:E Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NAND |
Tamaño de la memoria | 2Gb (256M x 8) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 105°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 63-VFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 63-VFBGA (9x11) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F2G08ABAEAH4-AATX:E Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT29F2G08ABAEAH4-AATX:E-FT |
MT28HL32GQBB3ERK-0GCT TR
Micron Technology Inc.
MT28HL32GQBB6EBL-0GCT
Micron Technology Inc.
MT28HL64GRBB6EBL-0GCT
Micron Technology Inc.
MT28HL64GRBB6EBL-0GCT TR
Micron Technology Inc.
MT29AZ5A3CHHWD-18AAT.84F
Micron Technology Inc.
MT29AZ5A3CHHWD-18AAT.84F TR
Micron Technology Inc.
MT29E1HT08EMHBBJ4-3:B
Micron Technology Inc.
MT29E1HT08EMHBBJ4-3:B TR
Micron Technology Inc.
MT29E1T08CMHBBJ4-3:B
Micron Technology Inc.
MT29E1T08CMHBBJ4-3:B TR
Micron Technology Inc.
LFXP3C-3T144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1600E-5FG320C
Xilinx Inc.
A3PE600-2FGG484I
Microsemi Corporation
ICE40UL640-SWG16ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-1VQ100I
Microsemi Corporation
5SGSED8N1F45C2LN
Intel
A1010B-2PLG44C
Microsemi Corporation
LFX200B-05FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C5N
Intel
5SGXEA3H3F35C2LN
Intel