casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT29F256G08CBHBBL06B3WC1-R
Número de pieza del fabricante | MT29F256G08CBHBBL06B3WC1-R |
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Número de parte futuro | FT-MT29F256G08CBHBBL06B3WC1-R |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT29F256G08CBHBBL06B3WC1-R Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NAND |
Tamaño de la memoria | 256Gb (32G x 8) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.5V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montaje | - |
Paquete / Caja | - |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F256G08CBHBBL06B3WC1-R Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT29F256G08CBHBBL06B3WC1-R-FT |
MT29F1G16ABBEAHC-IT:E TR
Micron Technology Inc.
MT29F1G16ABBEAHC:E
Micron Technology Inc.
MT29F1G16ABBEAHC:E TR
Micron Technology Inc.
MT29F1G16ABBEAM68M3WC2
Micron Technology Inc.
MT29F1G16ABBEAMD-IT:E
Micron Technology Inc.
MT29F1G16ABBEAMD-IT:E TR
Micron Technology Inc.
MT29F1HT08ELCBBG1-37:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F1HT08ELCBBG1-37ES:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F1HT08ELHBBG1-3R:B
Micron Technology Inc.
MT29F1HT08ELHBBG1-3R:B TR
Micron Technology Inc.
XC4013XL-2HT144C
Xilinx Inc.
LFXP6E-4TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
A1020B-PQG100C
Microsemi Corporation
XC3S250E-5VQG100C
Xilinx Inc.
A3P600-2FGG256I
Microsemi Corporation
A3P1000-PQG208I
Microsemi Corporation
A42MX16-1PQG208M
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-6FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC6E-3F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000HE-5MG132I
Lattice Semiconductor Corporation