casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT29F1G08ABBEAHC-IT:E TR
Número de pieza del fabricante | MT29F1G08ABBEAHC-IT:E TR |
---|---|
Número de parte futuro | FT-MT29F1G08ABBEAHC-IT:E TR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT29F1G08ABBEAHC-IT:E TR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NAND |
Tamaño de la memoria | 1Gb (128M x 8) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.7V ~ 1.95V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 63-VFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 63-VFBGA (10.5x13) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F1G08ABBEAHC-IT:E TR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT29F1G08ABBEAHC-IT:E TR-FT |
MT29F128G08CECDBJ4-6ITR:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F128G08CECDBJ4-6R:D
Micron Technology Inc.
MT29F128G08CECDBJ4-6R:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F128G08CECGBJ4-37ES:G TR
Micron Technology Inc.
MT29F128G08CECGBJ4-37R:G
Micron Technology Inc.
MT29F128G08CECGBJ4-37R:G TR
Micron Technology Inc.
MT29F128G08CECGBJ4-5M:G
Micron Technology Inc.
MT29F128G08CEEDBJ4-12:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F128G08CEEDBJ4-12IT:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F128G08CEHGBJ4-3R:G TR
Micron Technology Inc.
LCMXO2-1200ZE-1UWG25ITR
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S25B672C6N
Intel
XC2V1000-4BGG575C
Xilinx Inc.
XC5VLX50T-2FFG1136C
Xilinx Inc.
AGL125V5-QNG132
Microsemi Corporation
ICE40LP1K-CM121
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-8LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29C4N
Intel
EPF10K30RC208-3N
Intel
5SGXMA3H1F35C1N
Intel