casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT29F128G08CECDBJ4-6ITR:D TR
Número de pieza del fabricante | MT29F128G08CECDBJ4-6ITR:D TR |
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Número de parte futuro | FT-MT29F128G08CECDBJ4-6ITR:D TR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT29F128G08CECDBJ4-6ITR:D TR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NAND |
Tamaño de la memoria | 128Gb (16G x 8) |
Frecuencia de reloj | 166MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | - |
Paquete / Caja | - |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F128G08CECDBJ4-6ITR:D TR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT29F128G08CECDBJ4-6ITR:D TR-FT |
MT29E3T08EUHBBM4-3ES:B TR
Micron Technology Inc.
MT29E4T08CTHBBM5-3ES:B TR
Micron Technology Inc.
MT29E4T08EYHBBG9-3:B
Micron Technology Inc.
MT29E4T08EYHBBG9-3ES:B
Micron Technology Inc.
MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR
Micron Technology Inc.
MT29E512G08CKCBBH7-6:B TR
Micron Technology Inc.
MT29E512G08CKCCBH7-6:C
Micron Technology Inc.
MT29E512G08CMCBBH7-6:B TR
Micron Technology Inc.
MT29E512G08CMCCBH7-6ES:C TR
Micron Technology Inc.
MT29E512G08CUCABJ3-10Z:A
Micron Technology Inc.
EPF8820ATC144-3
Intel
M2GL025T-1FG484
Microsemi Corporation
5SGXEB6R2F43C2L
Intel
EP4SE360F35C4
Intel
XC5VLX50T-3FF1136C
Xilinx Inc.
XC7K355T-1FFG901C
Xilinx Inc.
A54SX16A-1TQ100I
Microsemi Corporation
A40MX04-PQ100M
Microsemi Corporation
EP3CLS100F780I7
Intel
EP1S25F1020I6N
Intel