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Micron Technology Inc. MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR

Name: MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR
Brand: Micron Technology Inc.
SKU: MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR
Availability: InStock
Rating: 4.8 (594 reviews)

Número de pieza de MFG: MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR

Cantidad disponible: 40510 Piezas

Precio de referencia: USD 0

Nuestro precio: Tenemos un gran descuento, contáctenos

Fecha de envío: Podemos enviar hoy

fabricante: Micron Technology Inc.

Breve descripción: - IC FLASH 512G PARALLEL 333MHZ

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Memoria

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR.pdf

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Número de pieza del fabricante	MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR
Número de parte futuro	FT-MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Active
Tipo de memoria	Non-Volatile
Formato de memoria	FLASH
Tecnología	FLASH - NAND
Tamaño de la memoria	512Gb (64G x 8)
Frecuencia de reloj	333MHz
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página	-
Tiempo de acceso	-
interfaz de memoria	Parallel
Suministro de voltaje	2.5V ~ 3.6V
Temperatura de funcionamiento	0°C ~ 70°C (TA)
Tipo de montaje	-
Paquete / Caja	-
Paquete del dispositivo del proveedor	-
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR-FT

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