casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT29F128G08CECGBJ4-5M:G
Número de pieza del fabricante | MT29F128G08CECGBJ4-5M:G |
---|---|
Número de parte futuro | FT-MT29F128G08CECGBJ4-5M:G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT29F128G08CECGBJ4-5M:G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NAND |
Tamaño de la memoria | 128Gb (16G x 8) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montaje | - |
Paquete / Caja | - |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F128G08CECGBJ4-5M:G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT29F128G08CECGBJ4-5M:G-FT |
MT29E512G08CKCCBH7-6:C
Micron Technology Inc.
MT29E512G08CMCBBH7-6:B TR
Micron Technology Inc.
MT29E512G08CMCCBH7-6ES:C TR
Micron Technology Inc.
MT29E512G08CUCABJ3-10Z:A
Micron Technology Inc.
MT29E512G08CUCABJ3-10Z:A TR
Micron Technology Inc.
MT29E512G08CUCDBJ6-6:D
Micron Technology Inc.
MT29E512G08CUCDBJ6-6:D TR
Micron Technology Inc.
MT29E64G08CBCDBJ4-6:D
Micron Technology Inc.
MT29E6T08ETHBBM5-3ES:B TR
Micron Technology Inc.
MT29E768G08EEHBBJ4-3ES:B TR
Micron Technology Inc.
A54SX32A-TQG144
Microsemi Corporation
LCMXO1200C-4T100I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280C-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSED8K3F40I4N
Intel
10CX150YF672E6G
Intel
5SGXEA9N3F45I4N
Intel
LFEC33E-5F672C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HE-5BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115H3F34E2SG
Intel
EP3SE50F780C4
Intel