casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT25TL01GHBB8ESF-0AAT TR
Número de pieza del fabricante | MT25TL01GHBB8ESF-0AAT TR |
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Número de parte futuro | FT-MT25TL01GHBB8ESF-0AAT TR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q100 |
MT25TL01GHBB8ESF-0AAT TR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NOR |
Tamaño de la memoria | 1Gb (128M x 8) |
Frecuencia de reloj | 133MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 8ms, 2.8ms |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | SPI |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 105°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 16-SOP2 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT25TL01GHBB8ESF-0AAT TR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT25TL01GHBB8ESF-0AAT TR-FT |
M58LT256KST8ZA6E
Micron Technology Inc.
M58LT256KST8ZA6F TR
Micron Technology Inc.
M58WR032KB70ZB6E
Micron Technology Inc.
M58WR032KB70ZB6F TR
Micron Technology Inc.
M58WR032KB70ZB6W TR
Micron Technology Inc.
M58WR032KB70ZB6Z
Micron Technology Inc.
M58WR032KB70ZQ6W TR
Micron Technology Inc.
M58WR032KB70ZQ6Z
Micron Technology Inc.
M58WR032KB7AZB6E
Micron Technology Inc.
M58WR032KB7AZB6F TR
Micron Technology Inc.
LCMXO2-640ZE-1TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F484C2
Intel
EP4CE115F23I8L
Intel
XC7VX415T-1FFG1157I
Xilinx Inc.
LFXP3E-4Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-6FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-640E-6MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2N
Intel
EP20K100BC356-2N
Intel
EP4SGX360FF35C4
Intel