casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / M58WR032KB70ZB6E
Número de pieza del fabricante | M58WR032KB70ZB6E |
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Número de parte futuro | FT-M58WR032KB70ZB6E |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
M58WR032KB70ZB6E Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NOR |
Tamaño de la memoria | 32Mb (2M x 16) |
Frecuencia de reloj | 66MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 70ns |
Tiempo de acceso | 70ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.7V ~ 2V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 56-VFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 56-VFBGA (7.7x9) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M58WR032KB70ZB6E Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | M58WR032KB70ZB6E-FT |
M36W0R5040B5ZAQE
Micron Technology Inc.
M36W0R6050B4ZAQE
Micron Technology Inc.
M36W0R6050B4ZAQF TR
Micron Technology Inc.
M36W0R6050L4ZSE
Micron Technology Inc.
M36W0R6050T4ZAQE
Micron Technology Inc.
M36W0R6050T4ZAQF TR
Micron Technology Inc.
M36W0R6050U4ZSE
Micron Technology Inc.
M36W0R6050U4ZSF TR
Micron Technology Inc.
M39L0R8090U3ZE6E
Micron Technology Inc.
M39L0R8090U3ZE6F TR
Micron Technology Inc.
A3PN020-QNG68
Microsemi Corporation
LCMXO640E-4TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S200AN-4FTG256C
Xilinx Inc.
XCV812E-6FG900C
Xilinx Inc.
XC7A50T-2CS325I
Xilinx Inc.
5CEBA9F27C7N
Intel
5SGXEA5H1F35I2N
Intel
LFE2-35SE-5FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA3D4F31I3G
Intel
EPF10K30AQC208-1N
Intel