casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / M58WR032KB70ZB6E
Número de pieza del fabricante | M58WR032KB70ZB6E |
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Número de parte futuro | FT-M58WR032KB70ZB6E |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
M58WR032KB70ZB6E Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NOR |
Tamaño de la memoria | 32Mb (2M x 16) |
Frecuencia de reloj | 66MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 70ns |
Tiempo de acceso | 70ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.7V ~ 2V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 56-VFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 56-VFBGA (7.7x9) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M58WR032KB70ZB6E Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | M58WR032KB70ZB6E-FT |
M36W0R5040B5ZAQE
Micron Technology Inc.
M36W0R6050B4ZAQE
Micron Technology Inc.
M36W0R6050B4ZAQF TR
Micron Technology Inc.
M36W0R6050L4ZSE
Micron Technology Inc.
M36W0R6050T4ZAQE
Micron Technology Inc.
M36W0R6050T4ZAQF TR
Micron Technology Inc.
M36W0R6050U4ZSE
Micron Technology Inc.
M36W0R6050U4ZSF TR
Micron Technology Inc.
M39L0R8090U3ZE6E
Micron Technology Inc.
M39L0R8090U3ZE6F TR
Micron Technology Inc.
A54SX32A-TQG144
Microsemi Corporation
LCMXO1200C-4T100I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280C-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSED8K3F40I4N
Intel
10CX150YF672E6G
Intel
5SGXEA9N3F45I4N
Intel
LFEC33E-5F672C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HE-5BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115H3F34E2SG
Intel
EP3SE50F780C4
Intel