casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / M58WR032KB70ZB6E
Número de pieza del fabricante | M58WR032KB70ZB6E |
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Número de parte futuro | FT-M58WR032KB70ZB6E |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
M58WR032KB70ZB6E Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NOR |
Tamaño de la memoria | 32Mb (2M x 16) |
Frecuencia de reloj | 66MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 70ns |
Tiempo de acceso | 70ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.7V ~ 2V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 56-VFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 56-VFBGA (7.7x9) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M58WR032KB70ZB6E Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | M58WR032KB70ZB6E-FT |
M36W0R5040B5ZAQE
Micron Technology Inc.
M36W0R6050B4ZAQE
Micron Technology Inc.
M36W0R6050B4ZAQF TR
Micron Technology Inc.
M36W0R6050L4ZSE
Micron Technology Inc.
M36W0R6050T4ZAQE
Micron Technology Inc.
M36W0R6050T4ZAQF TR
Micron Technology Inc.
M36W0R6050U4ZSE
Micron Technology Inc.
M36W0R6050U4ZSF TR
Micron Technology Inc.
M39L0R8090U3ZE6E
Micron Technology Inc.
M39L0R8090U3ZE6F TR
Micron Technology Inc.
XC2VP4-5FGG256I
Xilinx Inc.
XC3S200-5FT256C
Xilinx Inc.
XC7A100T-L2FTG256E
Xilinx Inc.
XC6SLX150T-N3FG484C
Xilinx Inc.
LCMXO3LF-2100E-5UWG49CTR1K
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX16-1VQG100I
Microsemi Corporation
5SGXEA5K2F35I3N
Intel
5SGXEA7K2F35C2
Intel
EPF10K100EBC356-2
Intel
EPF10K100EQC240-1N
Intel