casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / M58WR032KB70ZB6W TR
Número de pieza del fabricante | M58WR032KB70ZB6W TR |
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Número de parte futuro | FT-M58WR032KB70ZB6W TR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
M58WR032KB70ZB6W TR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NOR |
Tamaño de la memoria | 32Mb (2M x 16) |
Frecuencia de reloj | 66MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 70ns |
Tiempo de acceso | 70ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.7V ~ 2V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 56-VFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 56-VFBGA (7.7x9) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M58WR032KB70ZB6W TR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | M58WR032KB70ZB6W TR-FT |
M36W0R6050B4ZAQF TR
Micron Technology Inc.
M36W0R6050L4ZSE
Micron Technology Inc.
M36W0R6050T4ZAQE
Micron Technology Inc.
M36W0R6050T4ZAQF TR
Micron Technology Inc.
M36W0R6050U4ZSE
Micron Technology Inc.
M36W0R6050U4ZSF TR
Micron Technology Inc.
M39L0R8090U3ZE6E
Micron Technology Inc.
M39L0R8090U3ZE6F TR
Micron Technology Inc.
M45PE10S-VMP6G
Micron Technology Inc.
M45PE10S-VMP6TG TR
Micron Technology Inc.
A40MX02-VQG80M
Microsemi Corporation
XC3SD1800A-4CS484LI
Xilinx Inc.
XC2V500-5FG256I
Xilinx Inc.
A14V40A-VQG100C
Microsemi Corporation
5SGXMABN3F45C2LN
Intel
A3PE1500-FGG676I
Microsemi Corporation
M1A3P600-2FGG144I
Microsemi Corporation
LCMXO2-2000ZE-2BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K4F35I3SG
Intel
EP20K200EQC240-1X
Intel