casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Arreglos / MCCD2007-TP
Número de pieza del fabricante | MCCD2007-TP |
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Número de parte futuro | FT-MCCD2007-TP |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MCCD2007-TP Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
Característica FET | Standard |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 20V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 7A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20 mOhm @ 7A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 4.5V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1150pF @ 10V |
Potencia - max | - |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 6-WFDFN Exposed Pad |
Paquete del dispositivo del proveedor | DFN2030-6 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MCCD2007-TP Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MCCD2007-TP-FT |
MCH6660-TL-W
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MCH6601-TL-E
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