casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Arreglos / MCH6601-TL-E
Número de pieza del fabricante | MCH6601-TL-E |
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Número de parte futuro | FT-MCH6601-TL-E |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MCH6601-TL-E Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | 2 P-Channel (Dual) |
Característica FET | Logic Level Gate |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 200mA |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10.4 Ohm @ 50mA, 4V |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 1.43nC @ 10V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 7.5pF @ 10V |
Potencia - max | 800mW |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 6-SMD, Flat Leads |
Paquete del dispositivo del proveedor | 6-MCPH |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MCH6601-TL-E Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MCH6601-TL-E-FT |
NTMFD5C466NLT1G
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NTMFD5C470NLT1G
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NVMFD5852NLWFT1G
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NVMFD5C470NLWFT1G
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LFE2M35SE-6F672I
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LFE2-12SE-7F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL50F780C4N
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