casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Arreglos / MCH6660-TL-W
Número de pieza del fabricante | MCH6660-TL-W |
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Número de parte futuro | FT-MCH6660-TL-W |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MCH6660-TL-W Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N and P-Channel |
Característica FET | Logic Level Gate, 1.8V Drive |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 20V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 2A, 1.5A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 136 mOhm @ 1A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.3V @ 1mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 1.8nC @ 4.5V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 128pF @ 10V |
Potencia - max | 800mW |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 6-SMD, Flat Leads |
Paquete del dispositivo del proveedor | 6-MCPH |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MCH6660-TL-W Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MCH6660-TL-W-FT |
NVMFD5C680NLT1G
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NTMFD5C466NLT1G
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NVMFD5852NLT1G
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NVMFD5C680NLWFT1G
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NVMFD5875NLT1G
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A42MX36-3BG272
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LFE3-35EA-6LFN484C
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LCMXO2-1200HC-5MG132CR1
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