casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / MBRB16H35HE3/45
Número de pieza del fabricante | MBRB16H35HE3/45 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-MBRB16H35HE3/45 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
MBRB16H35HE3/45 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo de diodo | Schottky |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 35V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 16A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 660mV @ 16A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 100µA @ 35V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-263AB |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -65°C ~ 175°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBRB16H35HE3/45 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MBRB16H35HE3/45-FT |
FESB8GT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESB8GT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESB8GTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESB8GTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESB8HT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESB8HTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESB8HTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESB8JT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESB8JT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESB8JTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division