casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / FESB8GT-E3/81
Número de pieza del fabricante | FESB8GT-E3/81 |
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Número de parte futuro | FT-FESB8GT-E3/81 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
FESB8GT-E3/81 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 400V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 8A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.3V @ 8A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 50ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 10µA @ 400V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-263AB |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FESB8GT-E3/81 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | FESB8GT-E3/81-FT |
8ETH06S
Vishay Semiconductor Diodes Division
8ETL06S
Vishay Semiconductor Diodes Division
8ETU04S
Vishay Semiconductor Diodes Division
8ETX06S
Vishay Semiconductor Diodes Division
8ETX06STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
8ETX06STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
8TQ080S
Vishay Semiconductor Diodes Division
8TQ080STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
8TQ080STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
8TQ100S
Vishay Semiconductor Diodes Division
A40MX02-1VQ80M
Microsemi Corporation
XC4010XL-2PQ100C
Xilinx Inc.
A3P1000-PQ208M
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A40MX02-1PQ100
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LFE3-70EA-8FN672I
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LFE3-70EA-9FN672C
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LFE3-17EA-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K4F35I3LG
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