Número de pieza del fabricante | 8ETH06S |
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Número de parte futuro | FT-8ETH06S |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | FRED Pt® |
8ETH06S Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 600V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 8A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 2.4V @ 8A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 25ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 50µA @ 600V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paquete del dispositivo del proveedor | D2PAK |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -65°C ~ 175°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
8ETH06S Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 8ETH06S-FT |
VS-MBRB1045TRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRB1635-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRB1635TRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRB1635TRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRB1645-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRB1645TRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRB1645TRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRB735-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRB735TRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRB735TRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
A54SX16P-2TQG144I
Microsemi Corporation
LCMXO2-1200ZE-1TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC7K410T-2FBG676C
Xilinx Inc.
EP2AGX65DF25C5
Intel
5SGXMABN3F45I3N
Intel
5SGXMA5H2F35I3N
Intel
XCV50-5BG256I
Xilinx Inc.
A42MX09-TQG176I
Microsemi Corporation
LFEC20E-3FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC7D6F31I7
Intel